刻蝕即用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，其基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形。其是半導(dǎo)體制造工藝中重要的一環(huán)，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。
 

　　刻蝕的實現(xiàn)需要依賴專業(yè)的刻蝕設(shè)備(刻蝕機)，故刻蝕設(shè)備的制造也是IC制造中的重要環(huán)節(jié)。刻蝕設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈及刻蝕在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的環(huán)節(jié)如下所示：
 

　　產(chǎn)業(yè)政策――扶植措施明顯

 

　　從政策環(huán)境上來看，我國對于刻蝕設(shè)備行業(yè)較為重視。其主要表現(xiàn)在對于整個IC產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的政策優(yōu)待以及對于半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的相關(guān)規(guī)劃與推動。如《“十三五”國家科技創(chuàng)新規(guī)劃》中明確提出，要攻克14nm刻蝕設(shè)備及核心零部件的制造;《極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝》項目(02專項)也引進了產(chǎn)業(yè)投資，扶植了刻蝕設(shè)備相關(guān)的產(chǎn)業(yè)。
 

　　技術(shù)發(fā)展――刻蝕技術(shù)百花齊放

 

　　刻蝕技術(shù)主要分為干法刻蝕和濕法刻蝕兩種，其中濕法刻蝕是一個純粹的化學(xué)反應(yīng)過程，能夠利用溶液與預(yù)刻蝕材料之間的化學(xué)反應(yīng)來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的;而干法刻蝕則不會使用溶液進行刻蝕。
 

　　根據(jù)刻蝕方法，干法刻蝕可以分為物理性刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕和化學(xué)性刻蝕;根據(jù)被刻蝕的材料類型則可分為介質(zhì)刻蝕、金屬刻蝕和硅刻蝕。
 

　　刻蝕設(shè)備的發(fā)展與刻蝕技術(shù)的發(fā)展息息相關(guān)，不同的刻蝕技術(shù)需要不同的刻蝕設(shè)備來實現(xiàn)，但是不同的刻蝕設(shè)備總體來說，在制造過程中仍會遵循一個統(tǒng)一的規(guī)范。根據(jù)中微公司招股說明書中披露的內(nèi)容，刻蝕設(shè)備的通用制造流程如下所示：
 

　　競爭格局――泛林半導(dǎo)體獨占一半份額

 

　　目前，全球刻蝕設(shè)備行業(yè)的主要企業(yè)即泛林半導(dǎo)體(Lam Research)，東京電子(TEL)和應(yīng)用材料(AMAT)三家，從刻蝕設(shè)備銷售情況來看，三家企業(yè)的合計市場份額就占到了全球刻蝕設(shè)備市場的90%以上。其中泛林半導(dǎo)體獨占52%的市場份額，Nikon與Canon分別占據(jù)20%和19%的市場份額。
 

　　市場規(guī)模――市場規(guī)模不斷增長

 

　　從市場規(guī)模來看，2013-2019年，刻蝕設(shè)備市場規(guī)模不斷增長。2019年，全球刻蝕設(shè)備市場規(guī)模約為115億元，2013-2019年市場規(guī)模平均增長率接近20%。預(yù)計未來刻蝕設(shè)備市場規(guī)模增長率會逐漸放緩，到2025年實現(xiàn)155億美元。
 

　　國產(chǎn)企業(yè)――相關(guān)技術(shù)仍需進步

 

　　近年來，隨著國內(nèi)晶圓廠制程工藝的進步，多重曝光工藝逐步得到應(yīng)用，對刻蝕設(shè)備的需求潛力增大，帶動了我國刻蝕設(shè)備行業(yè)的發(fā)展。在政策的推動和研發(fā)的進步下，我國刻蝕設(shè)備行業(yè)涌現(xiàn)出了一批優(yōu)秀的領(lǐng)先企業(yè)。
 

　　但我國企業(yè)在刻蝕設(shè)備制造方面距離世界頭部企業(yè)仍有一定的距離，刻蝕設(shè)備研發(fā)進度仍待加快。