【中國儀表網 儀表研發】近日，大連理工大學微電子學院副教授李曉干、與佐治亞理工大學材料科學與技術學院博士生鄒海洋等人一起，在寬帶光探測器研究上取得新進展。
 

 

　　團隊在硅和氧化鋅納米線兩種半導體材料構成的光探測器上，設計了特殊的金針菇云狀的薄膜電極層，該結構能通過減少光的反射，極大地提高硅對近紅外光的吸收。同時，通過施加外應力作用在氧化鋅納米線上，在界面產生極化作用，提高光探測性能，其性能在近紫外442納米的波段光響應提高78%，在近紅外區域1060納米光響應也提高了20%左右，同時其測量極限和線性關系也得到了很大提高。
 

　　團隊利用該器件首次研究和發現了極化作用對界面處光激發的電子和空穴的不同影響，對完善相關理論和發展更優良的光電器件具有重要意義。該工作發表在專業著名學術期刊《先進材料》，李曉干副教授與鄒海洋博士生等人以共同第一作者的身份聯合署名該論文工作。
 

　　寬帶光探測器，是一種能將較大大范圍不同波長的光信號轉變為電信號的電子器件，在通信系統、醫療、熱成像、環境監測和國防科技都有廣泛的應用。硅作為重要的半導體材料，在半導體行業占據著重要地位。但是，由于硅對900納米以上的近紅外光吸收不強，這極大限制了硅在寬帶光探測器的應用。