【中國儀表網(wǎng) 儀表上游】由于大基金和國家政策加持，近兩年國內(nèi)半導(dǎo)體迎來發(fā)展高潮，不只中國本土廠商，全球半導(dǎo)體廠商也競相在中國布建生產(chǎn)線。新年伊始，全球各大半導(dǎo)體廠商投資建廠的消息就不斷被爆出，包括英特爾、三星和SK海力士等國際巨頭都宣布了新的建廠計劃。
　　

　　早早在大陸布局的全球三大存儲器巨之一的SK海力士動作迅速。據(jù)江蘇無錫市政府消息，SK海力士將在無錫啟動第二工廠建設(shè)，總投資金額達到36億美元。將透露進一步的計劃與詳細資訊。依據(jù)SK海力士在去年12月底公布的投資計劃，可以確定的是SK海力士將在2017年7月先投資9500億韓元(約8.93億美元)，擴建中國無錫C2廠潔凈室，擴大DRAM(存儲器)產(chǎn)能，估計2019年4月才會完工、貢獻產(chǎn)能。
　　
　　SK海力士于2005年進軍中國無錫，其間歷經(jīng)5期重大投資建設(shè)，累計投資金額達到105億美元，是江蘇省投資規(guī)模最大的外商投資項目，SK海力士無錫廠目前最高產(chǎn)能每月可達13萬片，約占SK海力士DRAM產(chǎn)能的一半。
　　
　　同樣，為迎接全球最大的存儲器市場的需求熱潮，國際存儲器市占率第一的三星將在今明兩年追投約5萬億韓元(約合43.5億美元)的資金用于擴產(chǎn)三星在中國西安的3D NAND Flash(非易失性閃存)廠。
　　
　　而全球存儲器三巨頭之一的美光，則已借助臺灣地區(qū)現(xiàn)有的集成電路半導(dǎo)體基礎(chǔ)，進一步提升產(chǎn)能。
　　
　　最新數(shù)據(jù)顯示，國內(nèi)對存儲器集成電路的需求量依然排在全球第一，集成電路芯片的需求也將進一步增大。國內(nèi)對集成電路芯片的自主技術(shù)薄弱，一直以來，都極度依賴進口，特別是存儲器領(lǐng)域，國內(nèi)仍未能夠?qū)崿F(xiàn)完全自主的知識產(chǎn)權(quán)。
　　
　　盡管近兩年國內(nèi)大力推進集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，總體情況有所改變。但是在存儲器領(lǐng)域，國內(nèi)目前仍然僅有武漢長江存儲、合肥長鑫及位于晉江的福建晉華存儲器三大項目在建。