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利普思獲1億元融資 年內將打造IGBT和SiC模塊生產基地

儀表網 2023-03-17
3月17日,無錫利普思半導體有限公司(以下簡稱“利普思”)完成金額1億元人民幣的Pre-B輪融資,由和高資本領投,上海瀛嘉匯及老股東聯新資本跟投,資金將主要用于利普思在無錫和日本工廠產能的提升,擴大研發團隊,以及現金流儲備。
 
  資料顯示,無錫利普思半導體有限公司致力于碳化硅等功率半導體的研發、生產與銷售,提供完整的模塊應用解決方案。滿足高性能、高可靠性的新能源汽車及高端工業領域功率半導體模塊需求。
 
  其主要產品包括新能源汽車和工業用的高可靠性SiC和IGBT模塊。產品應用于新能源汽車、智能電網、可再生能源、工業電機驅動、醫療器械、電源等場景和領域;公司總部位于中國無錫,并在日本設有研發中心。
 
  據市場研究機構TrendForce預測數據,從2020年至2025年,SiC的市場將從6.8億美元(約43.3人民幣)增長到33億美元(約216億人民幣),年復合成長率(CAGR)為38%。而我國功率半導體市場需求占全球超1/3,但高端領域的功率器件國產化非常低,基本仍依賴國外進口,大部分市場都被英飛凌、三菱等巨頭瓜分。
 
  目前,利普思模塊產品的性能和品質已達到國際品牌水平,并進入海外市場。今年,海外市場是利普思業務布局的主戰場,營收也主要來源于出口業務。為了更好地支撐海外業務的擴展,除了日本研發中心和銷售團隊外,去年底利普思在歐洲成立了意大利銷售中心,進一步加速國際化布局。
 
  據悉,2023年,利普思將全面擴充乘用車、商用車、氫燃料電池、充電樁、光伏/儲能、特高壓等各大產品線。不僅如此,公司還計劃在國內建立一個百萬級IGBT和SiC模塊的生產基地,產能預計將實現十倍增長,預計于明年年底投產,以更好地滿足未來SiC模塊更大的市場需求。
 
  相關領域的投資人士表示,SiC作為新興的第三代半導體材料,可助力功率模塊突破傳統硅基材料的性能瓶頸,廣泛應用于大功率的新能源場景,是高景氣高成長賽道,SiC產業已迎來高速發展期。
 
  資料來源:36kr、利普思、TrendForce
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