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安光所在p型氧化物VOCs傳感器的缺陷調(diào)控增敏方面取得進(jìn)展

儀表網(wǎng) 2020-09-24
儀表網(wǎng) 儀表研發(fā)】環(huán)境中痕量揮發(fā)性有機(jī)化合物(VOCs)攜帶了環(huán)境與健康相關(guān)的重要訊息,VOCs的識(shí)別檢測(cè)備受關(guān)注。盡管p型金屬氧化物半導(dǎo)體具有獨(dú)特的VOCs催化氧化活性,有望克服現(xiàn)有n型氧化物VOCs傳感器在識(shí)別特性方面的不足,推進(jìn)VOCs傳感芯片的開(kāi)發(fā),然而,p型氧化物在空氣氛圍下固有的“空穴累積層”構(gòu)型導(dǎo)致其本征靈敏度較低,限制了其應(yīng)用。
 
  p型Sc-Li共摻NiO傳感器對(duì)100ppm乙醇的氣敏響應(yīng)特性:(a)靈敏度與重復(fù)性;(b)靈敏度同文獻(xiàn)結(jié)果對(duì)比;(c)長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
 
  缺陷調(diào)控是近年來(lái)傳感、催化領(lǐng)域常用的一種調(diào)控材料表面電子結(jié)構(gòu)和催化活性的策略,然而,材料表面缺陷種類眾多,究竟哪種類型的缺陷決定p型氧化物傳感器對(duì)VOCs的電學(xué)響應(yīng)尚無(wú)明確的答案。安徽光機(jī)所激光中心方曉東、孟鋼研究員團(tuán)隊(duì)以p型CuCrO2為研究對(duì)象,揭示了表面不飽和氧空位缺陷為氣敏活性位點(diǎn),通過(guò)合成過(guò)程或者后退火引入更多的氧空位缺陷,均可提升傳感器對(duì)VOCs的靈敏度,相關(guān)成果以《氧空位缺陷顯著增強(qiáng)p型銅鐵礦CuCrO2的氣敏特性》為題,發(fā)表于ACS Applied Materials & Interfaces雜志上。隨后,該團(tuán)隊(duì)又提出采用Ar&H2等離子體處理技術(shù),誘導(dǎo)p型氧化物表層形成富含氧空位的缺陷層,增強(qiáng)傳感器對(duì)VOCs的電學(xué)響應(yīng),相關(guān)成果以《p- CuAlO2表層氧空位缺陷的Ar&H2等離子體處理調(diào)控及VOCs敏感性能提升》為題,發(fā)表在Chemical Communications期刊上。
 
  活性位點(diǎn)的穩(wěn)定性是傳感器實(shí)際應(yīng)用的一個(gè)重要指標(biāo)。盡管通過(guò)真空退火或等離子體處理可誘導(dǎo)產(chǎn)生體/表面氧空位缺陷,然而,這些氧空位在高溫工作條件下很容易與環(huán)境中的氧復(fù)合而失去活性。為了穩(wěn)定p型氧化物的氧空位活性位點(diǎn),該團(tuán)隊(duì)以常用的p型NiO為研究對(duì)象,嘗試了多種元素?fù)诫s,篩選出Sc為一種新型高效的NiO增敏摻雜劑。在此基礎(chǔ)上,進(jìn)一步探究了共摻缺陷調(diào)控,發(fā)現(xiàn)Sc-Li共摻可進(jìn)一步誘導(dǎo)NiO晶格畸變,產(chǎn)生高濃度的氧空位缺陷,將NiO傳感器對(duì)100ppm丙酮的靈敏度提升2個(gè)數(shù)量級(jí),檢測(cè)限低至10ppb。而且,Sc-Li共摻引入的氧空位缺陷具有更好的穩(wěn)定性,傳感器在7個(gè)月后靈敏度僅衰減30%,初步滿足了實(shí)際應(yīng)用對(duì)傳感器長(zhǎng)期穩(wěn)定性的要求。相關(guān)成果以《Sc摻雜NiO納米花傳感器的VOCs傳感特性》和《異價(jià)Sc3+、Li+共摻雜大幅提升p型NiO傳感器的性能》為題,分別發(fā)表在Journal of Alloys and Compounds和Sensors and Actuators B: Chemical上。
 
  以上研究工作由國(guó)家自然科學(xué)基金和中科院國(guó)際合作等項(xiàng)目資助
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